A 大通激光 ACCESS LASER
1999
美国西雅图成立
26 年
CO₂ 激光器研发
EUV
半导体光刻核心光源
us→fs
全脉宽覆盖

产品中心

覆盖深紫外到中长波红外、us 到 fs 脉宽、几百毫瓦到几百瓦的全产品矩阵。

技术实力

EUV 光刻核心光源

作为全球先进 EUV 半导体光刻机的核心光源供应商,技术进入半导体尖端制造链条。

超快激光器

红外/绿光/紫外皮秒与飞秒,以及多波长光纤激光器,冷加工低损伤。

定制与特殊激光器

基于 26 年 CO₂ 技术积累,提供定制 CO₂、一氧化碳与同位素 CO₂ 激光器。

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大通激光工程师团队为您匹配最合适的激光源与系统方案。